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FQA55N10

Fabricante Número de pieza:
FQA55N10
Fabricante / Marca
onsemi
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Especificaciones:
FQA55N10(1).pdfFQA55N10(2).pdfFQA55N10(3).pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Condición de stock:
Nuevo original, Stock disponible.
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza FQA55N10
Fabricante / Marca onsemi
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-3P
Serie QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 26mOhm @ 30.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 190W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3
Paquete Tube
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc)
Número de producto base FQA5

embalaje

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Peso (KG): 0.00kg-1.00kg Precio (USD $): USD $ 60.00
Peso (KG): 1.00kg-2.00kg Precio (USD $): USD $ 80.00
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