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FQA55N10 Imageイメージを拡大
画像は参照用です。
製品の詳細仕様を参照してください。

FQA55N10

メーカー 部品型番:
FQA55N10
メーカーブランド
onsemi
部分的な説明:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
仕様書:
FQA55N10(1).pdfFQA55N10(2).pdfFQA55N10(3).pdf
フリーステータス/ RoHS状態:
在庫状況:
オリジナルの本物の、在庫があります。
配達場所:
Hong Kong
配送方法:
DHL/Fedex/TNT/UPS

オンライン問い合わせ

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部品型番 FQA55N10
メーカーブランド onsemi
プロダクト ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
フリーステータス/ RoHS状態:
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 26mOhm @ 30.5A, 10V
電力消費(最大) 190W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2730 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 98 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 61A (Tc)
基本製品番号 FQA5

包装

最高品質、最も経済的な価格の静電シールドパッケージを提供します。 40%の光透過性を持つため、IC(集積回路)とPCB(プリント回路基板)を簡単に識別できます。非常に耐久性のある埋込み金属構造により、これらの部品を静電気から効果的に保護するために必要なFaradayCage性能が得られます。

すべての製品は帯電防止袋で梱包されます。静電気防止用保護具を同梱してください。
外部のESD梱包業者のラベルには、部品番号、ブランド、数量という会社の情報が使用されます。
私達は郵送物の前にすべての商品を点検し、良好な状態ですべての製品を確認し、部品が新しいoriginalmatchデータシートであることを確認します。
すべての商品がアフターパッキング後の問題がないことを確認した後、私たちは安全に梱包し、グローバルエクスプレスで送ります。それは良好なシールの完全性と共に優れた破壊および引裂抵抗を示す。
DHLor FedEx、TNT、UPS、その他の運送業者など、全世界への配達サービスをご提供できます。

DHL /フェデックス/ TNT / UPSによるグローバル出荷

発送料の参照DHL /フェデックス
1)。速達便アカウントで発送することができますが、速達アカウントで発送できない場合は、事前にアカウントを提供することができます。
2)。出荷には弊社のアカウントを使用してください。発送料(DHL / FedExを参照、国によって価格が異なります)
配送料: (参考DHLおよびFedEX)
重量(キロ):0.00kg - 1.00kg 価格(USD $):USD $ 60.00
重量(キログラム):1.00kg - 2.00kg 価格(USD $):USD $ 80.00
*価格はDHL /フェデックスでの参考です。詳細料金は、お問い合わせください。国によって料金が異なります。



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