ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ Semiconductor Field ၏တက်ကြွသောဘုံတွင်နည်းပညာအသစ်များနှင့်ပစ္စည်းများမဆုတ်မနစ်မြင့်တက်ခြင်းနှင့်ပစ္စည်းအသစ်များသည်မပြောင်းလဲနိုင်သောအသစ်များမြင့်တက်လာခြင်းဖြစ်သည်။2021 IEEE Vlsi-Tsa Conference တွင် Taiwan Semiconductor သုတေသနစင်တာ (TSRI) မှအဓိကအားဖြင့်သမိုင်းမှတ်တိုင်တစ်ခုရရှိခဲ့ပြီးပေါင်းစပ်ထားသော circuit (IC) ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာကိုပြောင်းလဲစေခဲ့သည်။မြေပြင်ဗျာဒိတ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် Tsri Tims သည်ပထမဆုံး CMOS Inverter ကိုပြသခဲ့သည်။Gate-all-န်းကျင် (GAA) Transistor Prock တွင်အမြစ်တွယ်နေသောဂျာမန်နန်ဗန်ကို အသုံးပြု. Transistor ဖြစ်စဉ်တွင်အမြစ်တွယ်နေပြီး miniaturzation နည်းပညာတွင် transformative အဆင့်ရှိသည်။
သုတေသနနောက်ခံနှင့်အရေးပါမှု
5NM Technology Node ကိုအောက်တွင်ဖော်ပြထားသော Gaa Transistors သည်စက်မှုလုပ်ငန်းမီးမောင်းထိုးပြနေသည်။သူတို့ကခြွင်းချက် electrostatic ဝိသေသလက္ခဏာများကိုဝါကြွားပြီး Thannel Thannel Effect ကိုထိန်းချုပ်ရန်ကျွမ်းကျင်သည်။ဤရွေ့ကား transistors, nanowires (NWS) သို့မဟုတ် Nanoweets (NWS) နှင့်အတူ stacking ချဉ်းကပ်နည်းကိုမြှင့်တင်ခြင်း, carrier flux နှင့်လက်ရှိပြင်းထန်မှုကိုသိသိသာသာမြှင့်တင်ရန်။
အချိန်ကာလတစ်ခုအရ Semiconductor သုတေသနသည်ပုံမှန်အားဖြင့်သမားရိုးကျဆီလီကွန် (SI) ပစ္စည်းများအပေါ်အဓိကအားဖြင့်သတ်မှတ်ထားသည်။သို့သော်သိပ္ပံပညာရှင်ဆန်းစစ်ခြင်းသည် Sige, Ge, Gesn, Ingaas တို့အား 0 င်ရောက်စွက်ဖက်ပစ္စည်းများသို့ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့သည်။ဤပစ္စည်းများသည်မိုးကုပ်စက်ဝိုင်းများကိုချဲ့ထွင်ခြင်း,
Tsri ရဲ့ရှေ့ဆောင်အောင်မြင်မှု
ဤပြောင်းလဲနေသောရှုခင်းတွင် Tsri Team ၏ပံ့ပိုးမှုများသည်ထင်ရှားသည်။သူတို့က GE Channel N / P-P-type Transiesistors ၏လုပ်ကြံလွှင့်စက်ကိုသာကျွမ်းကျင်ရုံမျှမက,သူတို့ကတီထွင်ကြံဆစွာ cmos inverter သို့သူတို့ကိုတီထွင်ခဲ့သည်။ဤသည် feat သည်နည်းပညာဆိုင်ရာကမ္ဘာ့အကြည့်ကိုဖမ်းယူခြင်းဖြင့်နည်းပညာဆိုင်ရာခရီးသွား de force ဖြစ်သည်။၎င်းတို့၏တွေ့ရှိချက်များကို 2021 VSSI-TSA International Symposium တွင် Zhu Junlin နှင့်ပါမောက္ခ Luo Guangli တို့တွင်ပါမောက္ခ Luo Guangli တို့ပါ 0 င်သည်။
နည်းပညာဆိုင်ရာအသေးစိတ်နှင့်အနာဂတ်အလားအလာများ
Tsri Experimentialists သည် 2D GE / SI Multi-layer abalogial လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအသုံးပြုခဲ့သည်။4 င်းတို့၏ကျွမ်းကျင်သောကွပ်မျက်မှုသည် 8 လက်မ Soi Wafer ရှိ Layer သုံးလိုင်း Gaa Transistor ကိုဖန်တီးရန် ဦး ဆောင်ခဲ့သည်။ဤရွေ့ကား transistors သည် High ဗို့အားရရှိခြင်းကိုသာပြသနိုင်ခြင်းမရှိခဲ့ပါ။Megasonic ag. 0 ယ်လိုသည့် Megasonic agargation တွင် tetramethymonomonium hydroxide ကို အသုံးပြု. TetRamethylammonium Hydroxide ကိုအသုံးပြုသည်။
ဤနည်းပညာများကိုအောင်မြင်စွာလျှောက်လွှာသည် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် GE ၏ကြီးမားသောကတိများကိုအလေးထားရုံသာမက Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် TSMC ကဲ့သို့ TSMC ကဲ့သို့သောစက်မှုလုပ်ငန်းခေါင်းဆောင်များအတွက်တန်ဖိုးမဖြတ်နိုင်သောထိုးထွင်းသိမြင်မှုကိုကမ်းလှမ်းသည်။
နိဂုံးချုပ်အားဖြင့်
Tsri ၏သုတေသနသည်နည်းပညာဆိုင်ရာအောင်မြင်မှုမျှသာဖြစ်သည်။၎င်းသည် Semiconductor စက်မှုလုပ်ငန်း၏အနာဂတ်လမ်းကြောင်းအတွက်သင်တန်းအသစ်တစ်ခုကိုဇယားကွက်။ဤလုပ်ငန်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုသည်၎င်း၏သိပ္ပံနည်းကျကောင်းမှုကိုကျော်လွန်ပြီးလာမည့်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ၏ကက်စကိတ်ကိုပြန့်ပွား။ ဆိုသည့်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ၏ကုတ်တင်ခြင်းကိုပြပြီး semiconductor ပစ္စည်းများနှင့်ပစ္စည်းကိရိယာများကိုပြောင်းလဲခြင်း။ဤလေ့လာမှုများသည်တိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှကျွန်ုပ်တို့သည်လျှောက်လွှာများနှင့်အောင်မြင်မှုများကိုဆက်လက်မျှော်လင့်နေပါသည်။